- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG1024UV-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG1024UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.38A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 450 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG1024UV-7DIDKR |
DMG1024UV
100
10
C iss
C oss
1,000
100
T A = 150°C
T A = 125°C
1
C rss
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
0
5 10 15
20
0
4 8 12 16 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 260°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMG1024UV-7
Case
SOT-563
Packaging
3000 / Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
NA1 = Product Type Marking Code
NA1
YM
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMG1024UV
Document number: DS31974 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
April 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1026UV-7 | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
| DMG1029SV-7 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
| DMG2301U-7 | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23 |
| DMG2302U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| DMG2307L-7 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1026UV | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W ESD 60V SOT563 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 60V, SOT563 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W ESD, 60V, SOT563; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:410mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:580mW; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
| DMG1026UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG1029SV-7 | 功能描述:MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG-103L | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DMG-103LF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。