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参数资料
| 型号： | DMG1026UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 580mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1026UV-7DIDKR |
DMG1026UV
1.0
0.8
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
1,000
800
V DS = 5V
V GS = 2.5V
0.6
0.4
600
400
0.2
V GS = 1.5V
V GS = 2.0V
200
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 Typical Output Characteristic
5
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2 Typical Transfer Characteristic
4
3
2
V GS = 4.5V
5
4
3
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
1
V GS = 10V
2
T A = 85°C
T A = 25°C
1
T A = -55°C
0
0
200 400 600 800
1,000
0
0
200
400 600 800
1,000
2.5
2.0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (mA)
Figure 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
I D , DRAIN CURRENT (mA)
Figure 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
2.0
1.5
1.5
V GS = 4.5V
I D = 200mA
1.0
0.5
V GS = 4.5V
I D = 200mA
V GS = 10V
I D = 500mA
1.0
0.5
V GS = 10V
I D = 500mA
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG1026UV
Document number: DS35068 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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