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参数资料
| 型号： | DMG1026UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 32pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 580mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG1026UV-7DIDKR |
DMG1026UV
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 220°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
Duty Cycle, D = t 1 2
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
/t
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Figure 13 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT563
B
C
Dim
A
B
C
Min
0.15
1.10
1.55
Max Typ
0.30 0.20
1.25 1.20
1.70 1.60
K
G
D
M
D
G
H
K
L
M
-
0.90
1.50
0.55
0.10
0.10
- 0.50
1.10 1.00
1.70 1.60
0.60 0.60
0.30 0.20
0.18 0.11
All Dimensions in mm
H
L
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.2
1.2
Z
G
C1
X
Y
0.375
0.5
C1
1.7
Y
DMG1026UV
Document number: DS35068 Rev. 6 - 2
X
5 of 6
www.diodes.com
C2
0.5
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG1029SV-7 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
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| DMG2302U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG1029SV-7 | 功能描述:MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG-103L | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DMG-103LF | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
| DMG-103LTC | 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述: |
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