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参数资料
| 型号： | DMG3415UFY4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 16V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 281.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 490mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | DFN2015H4-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3415UFY4-7DIDKR |
DMG3415UFY4
100,000
10,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
1
2
T A = -55°C
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
1
D = 0. 7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 171°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
Ordering Information (Note 7)
Part Number
DMG3415UFY4-7
Case
DFN2015H4-3
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Date Code Key
34P
YM
34P = Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMG3415UFY4
Document number: DS31842 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
December 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG3420U-7 | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG3415UQ-7 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG3420U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG3420U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG3420UQ-7 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
| DMG-400 | 制造商:Pro-Signal 功能描述:GOOSENECK MIC BARE ENDS 制造商:PRO SIGNAL 功能描述:GOOSENECK MIC, BARE ENDS 制造商:pro-power 功能描述:GOOSENECK MIC, BARE ENDS; Output Impedance:500ohm; Frequency Response Min:200Hz; Frequency Response Max:12kHz; Sensitivity:2.2mV/Pa/1kHz; Connector Type:3 Bare Wire Ends; Device Type:Gooseneck Microphone; External Diameter:28mm; |
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