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参数资料
| 型号： | DMG4435SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 11A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1614pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4435SSS-13DIDKR |
DMG4435SSS
3.0
2.5
2.0
I D = -1m A
30
25
20
1.5
1.0
0.5
I D = -250μA
15
10
5
T A = 25°C
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
1,000
100
C iss
C oss
C rss
f = 1MHz
10,000
1,000
100
10
1
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
0.1
0
10 20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
30
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Threshold Voltage vs. Total Gate Charge
DMG4435SSS
Document number: DS32041 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| DMG4466SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4466SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSS-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4466SSSL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSSL-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LFG | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL 30V/4.83 - 7.62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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