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参数资料
| 型号： | DMG4466SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 478.9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4466SSS-13DIDKR |
DMG4466SSS
2.0
1.8
1.6
20
18
16
14
1.4
I D = 1mA
12
T A = 25°C
10
1.2
1.0
0.8
I D = 250μA
8
6
4
2
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1,000
100
C iss
C oss
f = 1MHz
10,000
1,000
100
T A = 150°C
T A = 125°C
C rss
T A = 85°C
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
30
1
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
30
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 10A
0
0
2 4 6 8 10
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMG4466SSS
Document number: DS32137 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4466SSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4468LFG | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
| DMG4468LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 |
| DMG4496SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4511SK4-13 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4466SSSL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSSL-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LFG | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL 30V/4.83 - 7.62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LFG-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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