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参数资料
| 型号： | DMG4466SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 478.9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4466SSS-13DIDKR |
DMG4466SSS
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 90°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
-T
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10
1.30
0.15
0.20
1.50
0.25
Detail ‘A’
b
D
E
0.3
4.85
5.90
0.5
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
?? 0 ? 8 ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMG4466SSS
Document number: DS32137 Rev. 4 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4466SSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4468LFG | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
| DMG4468LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 |
| DMG4496SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 |
| DMG4511SK4-13 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4466SSSL | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4466SSSL-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LFG | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL 30V/4.83 - 7.62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LFG-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4468LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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