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参数资料
| 型号： | DMG4800LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LK3-13DIDKR |
DMG4800LK3
30
30
25
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
25
V DS = 5.0V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
20
15
20
15
10
V GS = 2.5V
10
T A = 150°C
T A = 125°C
5
V GS = 1.8V
V GS = 2.0V
5
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
4
1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
0.05
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.04
0.03
0.02
0.01
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = 4.5V
0.01
0
0
5
10 15 20 25
30
0
5
10 15 20 25 30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
1.4
1.2
V GS = 4.5A
I D = 5A
V GS = 10A
I D = 10A
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5A
1.0
0.8
0.02
0.01
I D = 5A
V GS = 10A
I D = 10A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Typical Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Ambient Temperature
DMG4800LK3
Document number: DS31959 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
November 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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