- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录404 > DMG4800LK3-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 30V 10A TO252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMG4800LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 798pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.71W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4800LK3-13DIDKR |
DMG4800LK3
2.0
1.6
100,000
10,000
T A = 150°C
1.2
0.8
I D = 1mA
I D = 250μA
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
0.4
10
T A = 25°C
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
1
0
T A = -55°C
5 10 15 20 25 30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Drain-Source Leakage Current vs Voltage
1,000
16
T A = 25°C
100
12
8
T A = 85°C
T A = 125°C
T A = 150°C
10
4
0
1
T A = -55°C
T A = 25°C
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
0
4 8 12 16 20
1,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
100
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
90
80
Single Pulse
R θ JA = 77°C/W
R θ JA (t) = R θ JA * r(t)
T J - T A = P * R θ JA (t)
100
70
60
50
10
T A = 85°C
T A = 125°C
T A = 150°C
40
30
1
T A = -55°C
T A = 25°C
20
10
0
0
4 8 12 16 20
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 11 Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
DMG4800LK3
Document number: DS31959 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4800LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
| DMG4822SSD-13 | MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 |
| DMG4932LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
| DMG5802LFX-7 | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| DMG6602SVT-7 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4800LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4800LSD-13 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LSDQ-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K - Tape and Reel |
| DMG4812SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMG4812SSS-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。