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参数资料
| 型号： | DMG5802LFX-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1066.4pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 980mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN5020（5x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG5802LFX-7DIDKR |
DMG5802LFX
20
V GS = 10V
V GS = 4.5V
20
V DS = 5V
16
12
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
16
12
8
V GS = 1.5V
8
T A = 150°C
T A = 125°C
4
4
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1.0 1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
2.0
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
3.0
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.04
0.03
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
T A = 85°C
T A = 25°C
0.01
V GS = 4.5V
0.01
T A = -55°C
0
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
5 10 15
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
20
1.6
0.04
1.4
V GS = 10V
I D = 20A
0.03
1.2
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.02
V GS = 10V
I D = 20A
1.0
0.8
0.01
V GS = 4.5V
I D = 10A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG5802LFX
Document number: DS35009 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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