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参数资料
| 型号： | DMG5802LFX-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1066.4pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 980mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN5020（5x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG5802LFX-7DIDKR |
DMG5802LFX
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 122°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
A1
e
D
A3
Dim
W-DFN5020-6
Min Max Typ
A
0.75
0.85 0.80
D2
A1
A3
0 0.05 0.02
?? ?? 0.15
Pin 1 ID
b
D
0.20
1.90
0.30 0.25
2.10 2.00
E
E2
D2
e
E
E2
L
Z
1.40 1.60 1.50
?? ?? 0.50
4.90 5.10 5.00
2.80 3.00 2.90
0.35 0.65 0.50
?? ??
0.375
L
All Dimensions in mm
Z
b
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
X
C
G
Dimensions Value (in mm)
X1
X2
Y2
Y3
C
G
X
X1
X2
0.50
0.35
0.35
0.90
1.80
Y
Y2
Y3
0.70
1.60
3.20
DMG5802LFX
Document number: DS35009 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG-600 | 制造商:Pro-Signal 功能描述:GOOSENECK MIC XLR 制造商:pro-power 功能描述:GOOSENECK MIC, XLR |
| DMG6402LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6402LDM-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6402LVT-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS 30V TSOT26 |
| DMG6601LVT-7 | 功能描述:MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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