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参数资料
| 型号： | DMG5802LFX-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1066.4pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 980mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN5020（5x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG5802LFX-7DIDKR |
DMG5802LFX
1.4
20
1.2
16
1.0
0.8
0.6
I D = 250μA
I D = 1mA
12
8
T A = 25°C
0.4
4
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
0
0
100,000
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
f = 1MHz
10,000
T A = 150°C
1,000
C iss
1,000
T A = 125°C
100
C rss
C oss
100
T A = 85°C
10
T A = 25°C
10
0
4 8 12 16 20
24
1
0
4 8 12 16 20
24
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
100
R DS(on)
Limited
8
6
V DS = 15V
I D = 7A
10
4
1
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P = 1ms
2
0.1
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
W
P W = 100μs
0.01
0
0
5
10 15 20 25 30 35
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
40
V GS = 4.5V
Single Pulse
DUT on 1 * MRP Board
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
100
DMG5802LFX
Document number: DS35009 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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