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参数资料
| 型号： | DMG6968U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 151pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG6968UDIDKR |
DMG6968U
20
16
V GS = 10V
V GS = 4.5V
20
16
V DS = 5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
12
8
V GS = 2.0V
V GS = 1.5V
12
8
4
4
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
5
0
0.5
T A = -55°C
1 1.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
2
0.04
0.06
0.05
V GS = 4.5V
0.03
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
0.04
0.03
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.02
V GS = 4.5V
0.02
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0.01
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
4 8 12 16
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
20
1.6
0.06
1.4
V GS = 2.5V
I D = 5.5A
0.05
1.2
V GS = 4.5V
I D = 6.5A
0.04
V GS = 2.5V
I D = 5.5A
1.0
0.03
0.02
V GS = 4.5V
I D = 6.5A
0.8
0.01
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG6968U
Document number: DS31738 Rev. 6 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG6968UDM-7 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 |
| DMG7401SFG-7 | MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333 |
| DMG7408SFG-7 | MOSF N CH 30V 7A 3333-8 |
| DMG7430LFG-7 | MOSFET N CH 30V POWERDIA 3333-8 |
| DMG7702SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG6968UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UDM-7 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968UQ-7 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
| DMG6968UTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UTS-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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