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参数资料
| 型号： | DMG6968U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 151pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG6968UDIDKR |
DMG6968U
1.4
1.2
20
1.0
16
T A = 25°C
0.8
I D = 250μA
12
0.6
0.4
I D = 1mA
8
4
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
500
450
400
350
100,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
300
250
1,000
T A = 125°C
200
150
100
50
C iss
C oss
100
10
T A = -55°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
4
C rss
8 12 16
20
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 162°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
/t
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMG6968U
Document number: DS31738 Rev. 6 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG6968UDM-7 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 |
| DMG7401SFG-7 | MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG6968UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UDM-7 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968UQ-7 | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance |
| DMG6968UTS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UTS-13 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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