型号: | DMN2004WK |
厂商: | Diodes Inc. |
英文描述: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
中文描述: | N沟道增强型场效应管 |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 148K |
代理商: | DMN2004WK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DMN2004WK-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005DLP4K | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005DLP4K-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005K | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DMN2004WK_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
DMN2004WK-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
DMN2005DLP4K | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005DLP4K_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN2005DLP4K-7 | 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |