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参数资料
| 型号： | DMN2005LPK-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 440mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 100µA |
| 功率 - 最大： | 450mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2005LPK-7DIDKR |
DMN2005LPK
1.2
1.0
1.6
1.2
T A = 25°C
0.8
I D = 1mA
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.4
0.2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
60
1,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
50
f = 1MHz
100
40
30
C iss
10
T A = 125°C
T A = 85°C
20
1
T A = -55°C
10
0
C oss
C rss
0.1
T A = 25°C
0
5 10 15
20
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
5
4
V DS = 10V
I D = 250mA
3
2
1
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN2005LPK
Document number: DS30836 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
June 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2009LSS-13 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN2013UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2013UFDE-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2013UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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