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参数资料
| 型号： | DMN2050L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 532pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2050LDIDKR |
DMN2050L
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT23
Dim Min Max Typ
A
0.37 0.51 0.40
H
B C
B
C
D
F
G
H
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
K
K1
M
J
K
0.013 0.10 0.05
0.903 1.10 1.00
J
F
G
D
L
K1
L
- - 0.400
0.45 0.61 0.55
M
??
0.085 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMN2050L
Document number: DS31502 Rev. 4 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN2075U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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