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参数资料
| 型号： | DMN2075UDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2075UDW-7DIDKR |
DMN2075UDW
1.4
5
1.2
4
1.0
0.8
0.6
3
2
0.4
1
0.2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
C iss
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 125°C
100
C oss
T A = 85°C
f = 1MHz
C rss
T A = 25°C
T A = -55°C
10
0
4 8 12 16
20
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
R DS(on)
P W = 10 μ s
10
1
0.1
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMN2075UDW
Document number: DS35542 Rev. 1 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMN2100UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2104L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2104L-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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