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参数资料
| 型号： | DMN2075UDW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 594.3pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2075UDW-7DIDKR |
DMN2075UDW
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 225°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 12 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
SOT363
Dim
Min
Max
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
H
H
1.80
2.20
K
M
J
K
L
0
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
J
D
F
L
M
α
0.10 0.22
0° 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
0.42
Y
0.6
Y
DMN2075UDW
Document number: DS35542 Rev. 1 - 2
X
5 of 6
www.diodes.com
C1
C2
1.9
0.65
September 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2100UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26 |
| DMN2104L-7 | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 |
| DMN2112SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| DMN2114SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2100UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2100UDM-7 | 功能描述:MOSFET 900mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2104L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2104L-7 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2112SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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