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参数资料
| 型号： | DMN2104L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | End Of Life 16/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 53 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2104LDIDKR |
DMN2104L
16
V GS = 10V
16
V GS = 4.5V
14
V DS = 5V
12
8
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
12
10
8
6
4
V GS = 2.0V
4
T A = 150°C
2
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5
V GS = 1.5V
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
0.5
T A = -55°C
1 1.5 2 2.5 3
3.5
0.12
0.11
0.10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.1
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = 2.5V
0.08
0.06
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.04
0.03
0.02
0.01
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
2
4 6 8 10 12 14
16
0.02
0
4
8 12
16
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 10V
I D = 10A
1.2
1.2
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.0
I D = 1mA
I D = 250μA
1.0
0.8
0.6
0.8
0.6
0.4
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN2104L
Document number: DS31560 Rev. 1 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2008
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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