- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录405 > DMN2104L-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN2104L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | End Of Life 16/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 53 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 325pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2104LDIDKR |
DMN2104L
16
T A = 25°C
600
500
12
400
8
300
C iss
200
4
100
C rss
C oss
0
0
0.4
0.6 0.8 1 1.2
1.4
0
5 10 15 20
25
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.9
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 170°C/W
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = Single Pulse
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 9 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 7)
Part Number
DMN2104L-7
Case
SOT-23
Packaging
3000/Tape & Reel
Notes:
7. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
MN2 = Marking Code
MN2
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: V = 2008)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2008
V
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMN2104L
Document number: DS31560 Rev. 1 - 2
3 of 4
www.diodes.com
October 2008
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2112SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| DMN2114SN-7 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3 |
| DMN2170U-7 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3 |
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| DMN2215UDM-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2112SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2112SN_0711 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2112SN-7 | 功能描述:MOSFET 20V 1.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2114SN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2114SN_0709 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。