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参数资料
| 型号： | DMN21D2UFB-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.93nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN21D2UFB-7BDIDKR |
DMN21D2UFB
1.0
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
1.0
V GS = 2.5V
0.8
0.6
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
0.8
0.6
V DS = 5.0V
0.4
0.2
V GS = 1.5V
0.4
0.2
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
V GS = 1.2V
0.5 1.0 1.5
2.0
0
0
T A = -55°C
1 2
3
1.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
1.2
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
1.4
1.0
1.2
V GS = 1.5V
0.8
1.0
V GS = 1.8V
0.8
0.6
0.6
0.4
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.4
I D = 100mA
0.2
0.2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
0
1
2
3 4 5 6 7 8 9 10
1.0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
1.6
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Gate-Source Voltage
0.8
0.6
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
1.4
1.2
V GS = 2.5 V
I D = 250mA
0.4
0.2
T A = 25°C
T A = -55°C
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 500mA
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.0
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN21D2UFB
Document number: DS35564 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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