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参数资料
| 型号： | DMN2400UFB4-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 470mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2400UFB4-7DIDKR |
DMN2400UFB4
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
Mechanical Data
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?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
UItra-Small Surface Mount Package
Ultra-Low Package Profile, 0.4mm Maximum Package Height
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
ESD Protected up to 1.5kV
"Green" Device (Note 2)
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
?
?
?
?
?
Case: DFN1006H4-3
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Terminals: Finish ? NiPdAu over Copper leadframe. Solderable
per MIL-STD-202, Method 208
Weight: 0.001 grams (approximate)
DFN1006H4-3
Drain
S
D
G
Gate
Gate
Source
ESD PROTECTED TO 1.5kV
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
Package Pin Configuration
Protection
Diode
EQUIVALENT CIRCUIT
Ordering Information (Note 3)
Part Number
DMN2400UFB4-7
DMN2400UFB4-7B
Marking
NC
NC
Reel size (inches)
7
7
Tape width (mm)
8
8
Quantity per reel
3000
10,000
Notes:
1. No purposefully added lead.
2. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com.
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.
Marking Information
DMN2400UFB4-7
DMN2400UFB4-7B
NC
Top View
Dot Denotes
Drain Side
DMN2400UFB4
Document number: DS32025 Rev. 5 - 2
NC
Top View
Bar Denotes Gate
and Source Side
1 of 6
www.diodes.com
NC = Product Type Marking Code
February 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2400UV-7 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| DMN26D0UT-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2400UFB4-7B | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R |
| DMN2400UFB-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UFD-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2400UV-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R |
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