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参数资料
| 型号： | DMN2400UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2400UV-7DIDKR |
DMN2400UV
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
Mechanical Data
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?
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
ESD Protected up to 2kV
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
"Green" Device (Note 2)
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
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?
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?
?
Case: SOT-563
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
Terminals: Finish ? Matte Tin annealed over Copper leadframe.
Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Weight: 0.006 grams (approximate)
G 1
S 1
D 2
SOT-563
S 2
G 2
D 1
ESD PROTECTED TO 2kV
Top View
Bottom View
Top View
Internal Schematic
Ordering Information (Note 3)
Notes:
Part Number
DMN2400UV-7
DMN2400UV-13
1. No purposefully added lead.
Case
SOT-563
SOT-563
Packaging
3,000/Tape & Reel
10,000/Tape & Reel
2. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com.
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.
Marking Information
24N and NAB = Marking Code
24N
YM
NAB YM
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
Date Code Key
Year
Code
2009
W
2010
X
2011
Y
2012
Z
2013
A
2014
B
2015
C
Month
Code
Jan
1
Feb
2
Mar
3
Apr
4
May
5
Jun
6
Jul
7
Aug
8
Sep
9
Oct
O
Nov
N
Dec
D
DMN2400UV
Document number: DS31852 Rev. 7 - 2
1 of 6
www.diodes.com
January 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| DMN26D0UT-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 |
| DMN2990UDJ-7 | MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2500UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2500UFB4-7B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMN2501UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2600UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2600UFB-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 25V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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