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参数资料
| 型号： | DMN2400UV-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 530mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN2400UV-7DIDKR |
DMN2400UV
2.0
V GS = 4.5V
1.5
V GS = 2.5V
V DS = 5V
1.5
V GS = 2.0V
1.0
V GS = 1.8V
1.0
0.5
0.5
V GS = 1.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
V GS = 1.2V
0
T A = -55°C
0
1 2 3 4
5
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
2.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.8
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5V
1.6
0.6
T A = 150°C
1.2
V GS = 1.5V
0.4
T A = 125°C
T A = 85°C
0.8
T A = 25°C
0.4
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
0.2
T A = -55°C
V GS = 5.0V
V GS = 4.5V
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
1.2
I D = 1.0A
V GS = 2.5.V
I D = 500mA
0.6
0.4
V GS = 2.5V
I D = 500mA
1.0
0.8
0.2
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN2400UV
Document number: DS31852 Rev. 7 - 2
3 of 6
www.diodes.com
January 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2500UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2500UFB4-7B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| DMN2501UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2600UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2600UFB-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 25V VDSS 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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