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参数资料
| 型号： | DMN26D0UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
| 产品目录绘图： | Dual N Channel SOT 963 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN26D0UDJ-7DIDKR |
DMN26D0UDJ
0.8
0.4
0.7
0.6
V GS = 8V
V GS = 4.5V
0.3
V DS = -10V
T A = -55°C
0.5
V GS = 3.0V
T A = 25°C
T A = 85°C
T A = 125°C
0.4
V GS = 2.5V
0.2
T A = 150°C
0.3
V GS = 2.0V
0.2
0.1
V GS = 1.5V
0.1
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
10
9
8
7
6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
4
3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
V GS = 4.5V
T A = 150°C
5
4
3
2
1
V GS = 1.2V
V GS = 1.5V
V GS = 1.8V
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
2
1
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
1
10 100
1,000
0
0.01
0.1
1
2.0
1.8
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (mA)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
4.0
3.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
V GS = 4.5V
I D = 500mA
3.0
1.4
1.2
V GS = 2.5V
I D = 150mA
2.5
2.0
V GS = 2.5V
I D = 150mA
1.0
0.8
1.5
0.6
0.4
1.0
0.5
V GS = 4.5V
I D = 500mA
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN26D0UDJ
Document number: DS31481 Rev. 7 - 2
3 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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