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参数资料
| 型号： | DMN3005LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4342pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3005LK3-13DIDKR |
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50
V GS = 4.5V
NEW DESIGN
30
DMN3005LK3
40
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.8V
25
20
V DS = 5.0V
30
20
V GS = 2.5V
15
T A = 150°C
T A = 125°C
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
V GS = 1.8V
5
T A = -55°C
0
0
V GS = 2.0V
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
5
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
4
0.040
0.036
0.012
0.032
0.028
0.024
0.020
0.016
0.012
0.008
0.004
V GS = 2.5V
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
V GS = 4.5V
5 10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5 10 15 20 25 30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
1.0
0.8
0.6
I D = 1mA
0.004
0.003
0.002
0.001
V GS = 4.5A
I D = 20A
0.4
0.2
I D = 250μA
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN3005LK3
Document number: DS33318 Rev. 4 - 3
3 of 6
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3010LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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