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参数资料
| 型号： | DMN3005LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4342pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3005LK3-13DIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR
NEW DESIGN
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
DMN3005LK3
E
b3
L3
A
c2
TO252
Dim Min Max Typ
A 2.19 2.39 2.29
A1
0.00 0.13 0.08
A2
0.97 1.17 1.07
b
0.64 0.88 0.783
D
H
A2
E1
b2
b3
c2
0.76 1.14 0.95
5.21 5.46 5.33
0.45 0.58 0.531
D
6.00 6.20 6.10
D1
5.21
?
?
L4
A1
e
E
? ? 2.286
6.45 6.70 6.58
2X b2
e
3X b
a
L
E1
H
L
L3
4.32 ? ?
9.40 10.41 9.91
1.40 1.78 1.59
0.88 1.27 1.08
L4
0.64 1.02 0.83
a
0° 10°
?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X2
Dimensions
Value (in mm)
Y2
Z
X1
11.6
1.5
Y1
X1
DMN3005LK3
Document number: DS33318 Rev. 4 - 3
E1
C
Z
5 of 6
www.diodes.com
X2
Y1
Y2
C
E1
7.0
2.5
7.0
6.9
2.3
May 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3007LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3010LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| DMN3018SSS-13 | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| DMN3024LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK |
| DMN3024LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3007LSS | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH W DIODE 30V 16A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes |
| DMN3007LSS-13 | 功能描述:MOSFET 2.5W 16A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3010LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3010LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3018SSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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