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参数资料
| 型号： | DMN3005LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4342pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3005LK3-13DIDKR |
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NEW DESIGN
DMN3005LK3
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
T A = 25°C
10,000
1,000
C iss
C oss
C rss
f = 1MHz
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
100
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Capacitance
30
1,000,000
100,000
10,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
1
0
5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 76°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMN3005LK3
Document number: DS33318 Rev. 4 - 3
4 of 6
www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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