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参数资料
| 型号： | DMN3018SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 697pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3018SSS-13DIDKR |
DMN3018SSS
30
25
20
16
V DS = 5.0V
20
12
15
T A = 150°C
8
10
T A = 125°C
5
4
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
4.0
0.1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristic
V GS = 2.5V
0.08
0.06
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Fig.2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5V
0.04
T A = 125°C
T A = 150°C
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
4 8 12 16
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT
20
0
0
4
8 12 16
I D , DRAIN CURRENT
20
1.6
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.08
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
V GS = 10 V
I D = 10A
1.4
0.06
1.2
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.0
0.8
0.04
0.02
V GS = 4.5V
I D = 5A
V GS = 10 V
I D = 10A
0.6
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
- 50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN3018SSS
Document number: DS35501 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN3024LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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