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参数资料
| 型号： | DMN3018SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 697pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3018SSS-13DIDKR |
DMN3018SSS
2.4
2.0
I D = 1mA
20
15
1.6
I D = 250μA
1.2
10
T A = 25°C
0.8
5
0.4
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
1.2
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
1,000
Fig.8 Diode Forward Voltage vs. Current
C iss
1,000
T A = 150°C
100
T A = 125°C
T A = 85°C
100
C oss
C rss
10
T A = 25°C
f = 1MHz
1
0
5 10 15 20 25 30
10
0
5 10 15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Junction Capacitance
V DS D = 9 A
8
6
4
2
0
= 15V, I
0
2
4 6 8 10 12 14
16
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge
DMN3018SSS
Document number: DS35501 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMN3020LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN3024LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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