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参数资料
| 型号： | DMN3018SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 7.3A SO-8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 697pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3018SSS-13DIDKR |
DMN3018SSS
1
0.1
0.01
D = 0.9
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
R θ JA(t) (t) * R θ JA
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
=r
R θ JA = 72 ° C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
Min
Max
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A
A1
A2
A3
-
0.10
1.30
0.15
1.75
0.20
1.50
0.25
Detail ‘A’
b
D
E
0.3
4.85
5.90
0.5
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
b
θ
0 °
8 °
D
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
All Dimensions in mm
Value (in mm)
0.60
Y
C2
C1
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
DMN3018SSS
Document number: DS35501 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3024LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DMN3020LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN3024LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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