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参数资料
| 型号： | DMN3024LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3024LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN3024LSD
Typical Characteristics
10
10V
5V
4V
3.5V
10
T = 150°C
10V
4V
3.5V
3V
V GS
1
0.1
T = 25°C
3V
2.5V
V GS
1
0.1
0.01
2.5V
2V
1.5V
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
V DS = 10V
1.4
V GS = 10V
I D = 7A
R DS(on)
1.2
T = 150°C
1
1.0
0.8
V GS(th)
0.1
T = 25°C
0.6
0.4
V GS = V DS
I D = 250uA
2 3
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
4
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
150
1000
100
2.5V
3V
T = 25°C
V GS
10
1
T = 150°C
10
1
3.5V
4V
0.1
T = 25°C
0.1
4.5V
0.01
0.01
0.01 0.1 1 10
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10V
Vgs = -3V
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0
DMN3024LSD
Document Revision: 3
5 of 8
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3024LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 |
| DMN3024SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 |
| DMN3029LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| DMN3030LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3024LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3024LSS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024SFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3024SFG-13 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024SFG-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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