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参数资料
| 型号： | DMN3024LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3024LSD-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN3024LSD
Package Outline Dimensions
DIM
Inches
Millimeters
DIM
Inches
Millimeters
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.053
0.069
1.35
1.75
e
0.050 BSC
1.27 BSC
A1
D
H
E
L
0.004
0.189
0.228
0.150
0.016
0.010
0.197
0.244
0.157
0.050
0.10
4.80
5.80
3.80
0.40
0.25
5.00
6.20
4.00
1.27
b
c
θ
h
-
0.013
0.008
0°
0.010
-
0.020
0.010
8°
0.020
-
0.33
0.19
0°
0.25
-
0.51
0.25
8°
0.50
-
Suggested Pad Layout
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.27
0.050
mm
inches
DMN3024LSD
Document Revision: 3
7 of 8
www.diodes.com
July 2009
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3024LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6.4A SO8 |
| DMN3024SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 |
| DMN3029LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| DMN3030LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3024LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3024LSS-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024SFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3024SFG-13 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3024SFG-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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