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参数资料
| 型号： | DMN3029LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3029LFG-7DIDKR |
DMN3029LFG
30
25
20
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
30
25
20
V DS = 5V
V GS = -55°C
V GS = 85°C
V GS = 150°C
V GS = 10V
15
10
V GS = 3.5V
15
10
V GS = 25°C
V GS = 3.0V
5
V GS = 2.5V
5
V GS = 125°C
0
0
0.5 1 1.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Output Characteristic
2
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristic
5
0.032
0.028
V GS = 4.5V
0.05
0.045
V GS = 4.5V
T A = 125°C
T A = 150°C
0.04
0.024
0.035
0.02
0.03
0.016
0.025
T A = 85°C
0.012
0.008
V GS = 10V
0.02
0.015
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0.004
0.005
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
30
0
0
5
10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance
30
vs. Drain Current and Gate Voltage
vs. Drain Current and Temperature
1.6
V GS = 10V
0.04
1.4
I D = 10A
0.035
0.03
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.2
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.025
0.02
1.0
0.015
V GS = 10V
I D = 10A
0.01
0.8
0.005
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
DMN3029LFG
Document number: DS35448 Rev. 7 - 2
4 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3030LFG-7 | 功能描述:MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3030LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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