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参数资料
| 型号： | DMN3029LFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN3029LFG-7DIDKR |
DMN3029LFG
2
1.5
I D = 1mA
30
25
20
T A = 25°C
1
I D = 250μA
15
10
0.5
5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
f = 1MHz
C ISS
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 11 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
C OSS
100
C RSS
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
4 8 12 16
20
1
0
10
20
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMN3029LFG
Document number: DS35448 Rev. 7 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3030LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN3033LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 |
| DMN3033LSD-13 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| DMN3033LSN-7 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3030LFG-7 | 功能描述:MOSFET 650V N-Ch Enh FET 30V VDSS 25V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3030LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3030LSS-13 | 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3031LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3031LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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