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参数资料
| 型号： | DMN3030LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 741pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3030LSS
Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
30
? 25
Units
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
Steady
State
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
9.0
6.75
40
A
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Total Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R ? JA
T J, T STG
Value
2.5
50
-55 to +150
Unit
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
??
?
?
?
??
?
?
1
? 100
? 1
V
μ A
nA
μ A
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ? 20V, V DS = 0V
V GS = ? 25V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
1
?
?
0.5
?
15.7
26.4
5.8
0.7
2.1
18
30
?
1.2
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 9A
V GS = 4.5V, I D = 7A
V DS = 10V, I D = 9A
V GS = 0V, I S = 2.1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C iss
C oss
C rss
R G
?
?
?
0.30
741
124
95
0.88
?
?
?
2.5
pF
pF
pF
?
V DS = 15V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 8)
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
??
??
??
??
??
??
7.6
16.7
1.9
5.2
4.0
4.4
23.0
9.4
12
25
??
??
??
??
??
??
nC
ns
V DS = 15V, V GS = 4.5V, I D = 9A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 9A
V GS = 10V, V DS = 15V,
R L = 15 ? , R G = 6 ?
Notes:
5. Device mounted on 2 oz copper pad layout with R ? JA = 50°C/W.
6. Pulse width ? 10 μ S, Duty Cycle ? 1%.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
DMN3030LSS
Document number: DS31261 Rev. 12 - 2
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www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| DMN3031LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3031LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| DMN3033LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W DIOD 30V 6.9A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8 |
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