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参数资料
| 型号： | DMN3030LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 741pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMN3030LSS
18
16
15
V GS = 10V
14
12
9
6
V GS = 4.5V
12
10
8
6
V DS = 5V
3
V GS = 3.0V
4
2
0
0
V GS = 2.5V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
5
0
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3.5
0.03
0.06
0.02
V GS = 4.5V
0.05
0.04
V GS = 4.5V
T A = 150°C
V GS = 10V
0.03
T A = 125°C
T A = 85°C
0.01
0.02
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.1
1 10
100
0.01
0
3 6 9 12
15
0.03
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 10V
1.6
1.5
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.025
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
1.4
1.3
1.2
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.1
1.0
0.015
T A = 25°C
T A = -55°C
0.9
0.8
0.01
0
3 6 9 12
15
0.7
-50
0 50 100 150
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 5 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN3030LSS
Document number: DS31261 Rev. 12 - 2
3 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3031LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN3033LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 |
| DMN3033LSD-13 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| DMN3033LSN-7 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| DMN3050S-7 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3031LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3031LSS-13 | 功能描述:MOSFET SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3033LDM-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W DIOD 30V 6.9A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8 |
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