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参数资料
| 型号： | DMN3031LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 741pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3031LSSDIDKR |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMN3030LSS
DMN3031LSS
Electrical Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
1
± 100
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = 30V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage (Note 5)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
1
?
?
0.5
?
15
26
5.8
0.7
2.1
18.5
31
?
1.2
V
m Ω
S
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 9A
V GS = 4.5V, I D = 7A
V DS = 10V, I D = 9A
V GS = 0V, I S = 2.1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C iss
C oss
C rss
R G
?
?
?
0.30
741
124
95
0.88
?
?
?
1.5
pF
pF
pF
Ω
V DS = 15V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
?
?
7.6
16.7
1.9
5.2
4.0
4.4
23.0
9.4
12
25
?
?
?
?
?
?
nC
ns
V DS = 15V, V GS = 4.5V, I D = 9A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 9A
V GS = 10V, V DS = 15V,
R L = 15 Ω , R G = 6 Ω
Notes:
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
18
16
15
V GS = 10V
14
12
9
6
V GS = 4.5V
12
10
8
6
V DS = 5V
3
V GS = 3.0V
4
2
0
0
V GS = 2.5V
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
5
0
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3.5
DMN3031LSS
Document number: DS31650 Rev. 4 - 3
2 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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