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参数资料
| 型号： | DMN3031LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| 产品目录绘图： | DMN Series Top DMN Series Side 1 DMN Series Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 741pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3031LSSDIDKR |
100
10
1
V GS = 150°C
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE DMN3030LSS
DMN3031LSS
0.1
V GS = 125°C
V GS = 85°C
0.01
V GS = 25°C
0.001
V GS = -55°C
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 9 Diode Forward Voltage vs. Current
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 90°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
DMN3031LSS-13
Case
SO-8
Packaging
2500/Tape & Reel
Notes:
6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Top View
8
5
Logo
N3031LS
Part no.
YY WW
Xth week: 01~52
Year : "08" =2008
1
4
DMN3031LSS
Document number: DS31650 Rev. 4 - 3
4 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3033LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 |
| DMN3033LSD-13 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
| DMN3033LSN-7 | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3033LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN3033LDM-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NN CH W DIOD 30V 6.9A SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8 |
| DMN3033LSD-13 | 功能描述:MOSFET NMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3033LSN | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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