- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录406 > DMN3404L-7 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN3404L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 386pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3404LDIDKR |
DMN3404L
0.05
0.08
0.07
V GS = 4.5V
0.04
0.06
T A = 150°C
0.03
V GS = 4.5V
0.05
T A = 125°C
T A = 85°C
0.02
0.01
V GS = 8.0V
0.04
0.03
0.02
0.01
T A = 25°C
T A = -40°C
T A = -55°C
0
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16
18
20
1.8
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Figure 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.08
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
V GS = 10V
I D = 10A
0.07
1.4
V GS = 4.5V
I D = 5.0A
0.06
0.05
V GS = 4V
I D = 2A
V GS = 4.5V
I D = 5.0A
1.2
0.04
1
0.03
V GS = 10V
I D = 10A
0.02
0.8
0.01
2
1.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.6
1.4
1.2
1
I D = 250μA
I D = 1mA
14
12
10
8
6
4
T A = 25°C
2
0.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
4 of 8
DMN3404L
www.diodes.com
Document number: DS31787 Rev. 8 - 2
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 8 Diode Forward Voltage vs. Current
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3730U-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 |
| DMN3730UFB-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| DMN3730UFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| DMN4027SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8 |
| DMN4027SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 6A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3404LQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel |
| DMN36.1A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP |
| DMN3730U | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 |
| DMN3730U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3730UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。