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参数资料
| 型号： | DMN3404L-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 5.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 386pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN3404LDIDKR |
DMN3404L
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
K 1
K
J
G A U G E P L A N E
0 . 2 5
SOT23
Dim Min Max Typ
A 0.37 0.51 0.40
A
M
L
a
L 1
B
C
D
F
1.20 1.40 1.30
2.30 2.50 2.40
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
G
H
J
1.78 2.05 1.83
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
K
K1
L
L1
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
F
G
D
M 0.085 0.150 0.110
?? 8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
2.9
Z
DMN3404L
Document number: DS31787 Rev. 8 - 2
X
E
C
7 of 8
www.diodes.com
X
Y
C
E
0.8
0.9
2.0
1.35
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN3730U-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23 |
| DMN3730UFB-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| DMN3730UFB4-7 | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| DMN4027SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 5.4A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN3404LQ-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K - Tape and Reel |
| DMN36.1A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP |
| DMN3730U | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 |
| DMN3730U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN3730UFB | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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