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参数资料
| 型号： | DMN4030LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 604pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4030LK3-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4030LK3
Thermal Characteristics
R DS(on)
R DS(on)
10
Limited
10
Limited
1
DC
1s
1
DC 1s
100ms
10ms
100ms
10ms
T amb =25°C
100m 25mm x 25mm
1oz FR4
1ms
100μs
100m
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
1ms
100μs
100m
1
10
100m
1
10
60
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
35
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
50
40
30
T amb =25°C
25mm x 25mm
1oz FR4
D=0.5
30
25
20
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
D=0.5
15
20
10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
10
5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
Single Pulse
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
100
Single Pulse
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
4
3
50mm x 50mm
2oz FR4
25mm x 25mm
1oz FR4
2
10
25mm x 25mm
1oz FR4
1
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
Temperature (°C)
Derating Curve
DMN4030LK3
Document Number DS32008 Rev. 3 - 2
3 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4031SSD-13 | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 |
| DMN4034SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
| DMN4034SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
| DMN4036LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4031SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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