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参数资料
| 型号： | DMN4030LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 604pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4030LK3-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4030LK3
Electrical Characteristics @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
40
?
?
?
?
?
?
0.5
± 100
V
μ A
nA
I D = 250 μ A, V GS = 0V
V DS = 40V, V GS = 0V
V GS = ± 20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance (Note 8)
Forward Transconductance (Notes 8 & 9)
Diode Forward Voltage (Note 8)
Reverse recovery time (Note 9)
Reverse recovery charge (Note 9)
V GS(th)
R DS (ON)
g fs
V SD
t rr
Q rr
1.0
?
?
?
?
?
0.021
0.037
22.8
0.95
135
799
3.0
0.030
0.050
?
1.1
?
?
V
?
S
V
ns
nC
I D = 250 μ A, V DS = V GS
V GS = 10V, I D = 12A
V GS = 4.5V, I D = 6A
V DS = 15V, I D = 12A
I S = 12A, V GS = 0V
I S = 12A, di/dt = 100A/ μ s
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 9)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge (Note 10)
Total Gate Charge (Note 10)
C iss
C oss
C rss
Q g
Q g
?
?
?
?
?
604
106
59.6
6.5
12.9
?
?
?
?
?
pF
pF
pF
nC
nC
V DS = 20V, V GS = 0V
f= 1MHz
V GS = 4.5V
V DS = 20V
Gate-Source Charge (Note 10)
Gate-Drain Charge (Note 10)
Turn-On Delay Time (Note 10)
Q gs
Q gd
t D(on)
?
?
?
2.3
3.6
4.2
?
?
?
nC
nC
ns
V GS = 10V
I D = 12A
Turn-On Rise Time (Note 10)
Turn-Off Delay Time (Note 10)
Turn-Off Fall Time (Note 10)
t r
t D(off)
t f
?
?
?
12.4
13.8
10.7
?
?
?
ns
ns
ns
V DD = 20V, V GS = 10V
I D = 12A, R G ? 6.0 Ω
Notes:
8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 μ s; duty cycle ≤ 2%
9. For design aid only, not subject to production testing.
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
DMN4030LK3
Document Number DS32008 Rev. 3 - 2
4 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4031SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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