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参数资料
| 型号： | DMN4031SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 945pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN4031SSD-13DIDKR |
DMN4031SSD
30
30
25
25
V DS = 5.0V
20
15
10
V GS = 10V
V GS = 4.5V
20
15
10
T A = 150 ° C
V GS = 3.5V
T A = 85 ° C
5
0
0
V GS = 4.0V
0.5 1.0 1.5
2.0
5
0
1
T A = 125 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
2 3 4 5
0.10
0.09
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.06
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.08
0.05
V GS = 4.5V
0.07
0.06
0.04
T A = 150 ° C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.03
0.02
0.01
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = -55 ° C
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
30
1.6
1.4
0.06
0.05
0.04
1.2
0.03
1.0
0.8
0.02
0.01
V GS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10V
I D = 5 A
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMN4031SSD
Document number: DS35410 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4034SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
| DMN4034SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4034SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4036LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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