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参数资料
| 型号： | DMN4031SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 945pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN4031SSD-13DIDKR |
DMN4031SSD
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
b
0.10
1.30
0.15
0.3
0.20
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMN4031SSD
Document number: DS35410 Rev. 4 - 2
C2
C1
Y
C1
C2
5 of 6
www.diodes.com
1.55
5.4
1.27
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4034SSD-13 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
| DMN4034SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
| DMN4036LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
| DMN4800LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4034SSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4034SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4036LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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