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参数资料
| 型号： | DMN4034SSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 453pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4034SSD-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4034SSD
Thermal Characteristics
2.0
10
R DS(on) Limited
1.8
1.6
1
100m
DC
1s
1.4
1.2
1.0
Two active die
100ms
0.8
10m
1m
Single Pulse
T amb =25°C
One active die
10ms
1ms
100μs
0.6
0.4
0.2
One active die
100m
1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
110
Safe Operating Area
Derating Curve
100
T amb =25°C
Single Pulse
90
80
One active die
100
T amb =25°C
One active die
70
60
50
40
D=0.5
10
30
20
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
10
D=0.1
1
0
100μ 1m 10m 100m 1 10 100 1k
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
DMN4034SSD
Document Number DS32105 Rev 2 - 2
3 of 9
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4034SSS-13 | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
| DMN4036LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
| DMN4800LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN4800LSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4034SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4034SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4036LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4036LK3_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4036LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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