参数资料
型号: DMN4034SSS-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 34 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 453pF @ 20V
功率 - 最大: 1.56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
产品目录页面: 1472 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMN4034SSS-13DKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4034SSS
Thermal Characteristics
1.6
10
1
R DS(on) Limited
1.4
1.2
1.0
25mm x 25mm
1oz FR4
100m
DC
1s
100ms
0.8
0.6
10m
1m
Single Pulse
T amb =25°C
10ms
1ms
100μs
0.4
0.2
100m
1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
0.0
0
20
40 60 80 100 120 140 160
Temperature (°C)
Safe Operating Area
Derating Curve
80
70
60
50
T amb =25°C
D=0.5
100
Single Pulse
T amb =25°C
40
30
10
20
10
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
DMN4034SSS
Document Number DS32106 Rev 2 - 2
3 of 9
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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