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参数资料
| 型号： | DMN4034SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 5.4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 453pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4034SSS-13DKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4034SSS
Typical Characteristics
10
T = 25°C
10V
4.5V
4V
10
T = 150°C
10V
4V
3.5V
1
3.5V
1
3V
2.5V
0.1
3V
0.1
2V
0.01
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS
0.01
1.6
0.1 1 10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS
10
1
0.1
V DS = 10V
T = 150°C
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
I D = 12A
R DS(on)
0.01
T = 25°C
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = 250uA
V GS(th)
1E-3
0.4
1 2 3 4
V GS Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
5
-50 0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
Normalised Curves v Temperature
150
10
1
T = 25°C
3V
3.5V
4V
V GS
10
1
T = 150°C
T = 25°C
0.1
4.5V
10V
0.1
Vgs = 0V
0.01
0.01 0.1 1 10
I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
DMN4034SSS
Document Number DS32106 Rev 2 - 2
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8
V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
5 of 9
www.diodes.com
1.0
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4036LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
| DMN4800LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN4800LSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8 |
| DMN5010VAK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4036LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4036LK3_10 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4036LK3-13 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4040SK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4040SK3-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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