- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录406 > DMN4036LK3-13 (Diodes Inc)MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMN4036LK3-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 453pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.12W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMN4036LK3-13DIDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN4036LK3
Thermal Characteristics
R DS(on)
R DS(on)
10
Limited
10 Limited
1
DC 1s
100ms
10ms
1
DC
1s
100ms
10ms
100m
T amb =25°C
25mm x 25mm
1oz FR4
1
1ms
100μs
10
100m
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
1
1ms
100μs
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
35
V DS Drain-Source Voltage (V)
Safe Operating Area
60
50
40
30
T amb =25°C
25mm x 25mm
1oz FR4
D=0.5
30
25
20
15
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
D=0.5
20
10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
10
5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
Single Pulse
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
4.5
100
10
Single Pulse
T amb =25°C
50mm x 50mm
2oz FR4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
50mm x 50mm
2oz FR4
25mm x 25mm
1oz FR4
1.5
25mm x 25mm
1oz FR4
1.0
0.5
1
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Pulse Width (s)
Pulse Power Dissipation
Temperature (°C)
Derating Curve
DMN4036LK3
Document number: DS32122 Rev. 2 - 2
3 of 8
www.diodes.com
March 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN4060SVT-7 | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
| DMN4800LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| DMN4800LSSL-13 | MOSFET N-CH 30V 8A SO-8 |
| DMN5010VAK-7 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-563 |
| DMN55D0UT-7 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN4040SK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4040SK3-13 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4060SVT-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN4468LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN4468LSS-13 | 功能描述:MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。